삼성전자 업계 최초로 개발한 36GB HBM3E 12H D램. / 사진 : 삼성전자 제공

[대한경제=한형용 기자] 삼성전자가 맞춤형 고대역폭메모리(HBM) 수요 증가 대응에 박차를 가한다. 차세대 HBM 전담팀을 구성하는 등 대응 체계 구축은 이미 본격화됐다.

삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문에서 HBM을 담당하는 상품기획실 김경륜 상무와 D램개발실 윤재윤 상무는 18일 삼성전자 뉴스룸 인터뷰에서 이같이 밝혔다.

김 상무는 “초기 HBM 시장에서는 하드웨어의 범용성이 중요했지만, 미래에는 ‘킬러 앱’을 중심으로 서비스가 성숙하면서 하드웨어 인프라가 서비스별로 최적화되는 과정을 필연적으로 겪을 것”이라고 전망했다. 이어 “공동 최적화의 필요성으로 인해 맞춤화 요구가 커질 것”이라며 “프로세서와 메모리 업체가 제품을 개별적으로 최적화해서는 범용인공지능(AGI) 시대가 요구하는 미래의 혁신을 만들어 내기 어렵다는 업계의 공감대가 있다. 맞춤형 HBM은 AGI 시대를 여는 교두보”라고 강조했다.

김 상무는 이를 위해 “삼성전자는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 어드밴스드 패키징(AVP) 등 종합 역량을 십분 발휘해 대응해 나갈 것이며 차세대 HBM 전담팀도 구성했다”며 “이는 업계에서 단시간에 따라올 수 없는 역량으로 효과가 클 것”이라고 기대했다.

지난 2월 업계 최초로 36GB(기가바이트) 용량을 구현한 HBM3E 12H(Highㆍ12단 적층) D램의 기술력도 설명했다. 윤 상무는 이 제품에 대해 “속도와 용량 측면에서 세계 최고 사양을 갖춘 제품”이라며 “HBM의 열 관리가 중요한데 ‘첨단 열압착 비전도성 접착 필름’(TC-NCF) 기술은 열 방출 측면에서 독보적인 경쟁력을 갖췄다”고 소개했다.

이어 “HBM의 열 저항은 칩 간격의 영향을 주로 받는데, 칩 사이에 적용되는 NCF 소재의 두께를 낮추고 열압착 기술을 통해 칩 간격을 줄이는 동시에 고단 적층에서의 칩 제어 기술을 고도화했다”고 설명했다.

김 상무도 “36GB HBM3E 12H D램은 현재 시장의 주요 제품인 16GB HBM3 8H 대비 2.25배 큰 용량의 제품으로, 상용화되면 빠른 속도로 주류 시장을 대체해 나갈 것”이라며 “기존보다 더 적은 수의 AI 서버로도 동일한 초거대 언어 모델(LLM)을 서비스할 수 있어 총소유비용(TCO)이 절감되는 효과가 있다”고 부연했다.

한형용 기자 je8day@

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