삼성전자가 업계 최초 양산하는 9세대 V낸드 제품. / 사진 : 삼성전자 제공

[대한경제=한형용 기자] 삼성전자가 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산을 시작하며 메모리 초격차 기술력을 재입증했다. 인공지능(AI) 시대를 맞아 고용량ㆍ고성능 낸드의 중요성이 커진 만큼 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획이다.

삼성전자는 ‘더블 스택’ 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산했다고 23일 밝혔다. 더블 스택은 낸드플래시를 두 번에 걸친 ‘채널 홀 에칭’으로 나눠 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 방법을 의미한다. 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다는 게 삼성전자의 설명이다.

9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 290단 수준의 제품이다. 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.

더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였고 셀의 크기를 줄이면서 발생하는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술 및 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다. 또 ‘9세대 V낸드’는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선된 것으로 전해졌다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량ㆍ고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 예정이다.

앞서 삼성전자는 지난해 10월20일(현지시간) 미국 맥에너리 컨벤션 센터에서 개최한 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’에서 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비하겠다고 강조했다.

한형용 기자 je8day@

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