OIP 파트너 테크니컬 토크에서 기술 발표를 하고 있는 이병도 TL(HBM PKG TE). / 사진 : SK하이닉스 제공

[대한경제=한형용 기자] SK하이닉스가 25일(현지시간) 대만 TSMC가 미국 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 개최한 ‘오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼’에 참가해 파트너십을 재확인했다.

10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개하며 굳건한 AI 리더십도 강조했다. 특히 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 8단 제품과 엔비디아 H200(AI 가속기) 칩셋 보드를 함께 전시하며 협력관계도 과시했다.

SK하이닉스 부스 내 HBM3E와 함께 전시된 H200. / 사진 : SK하이닉스 제공

OIP는 TSMC가 반도체 생태계(에코시스템) 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. OIP 포럼은 이들 기업이 신제품과 기술을 교류하는 자리로, TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 세계 각국에서 행사를 개최한다.

올해 행사는 미국을 포함해 일본(10월), 대만ㆍ중국ㆍ유럽ㆍ이스라엘(11월) 등 6개 지역에서 진행되며 총 750개 기업과 6000명 이상이 참가할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 OIP 포럼에 처음으로 참가했다.

행사에서 SK하이닉스는 엔비디아, TSMC 등과 3자 협력으로 성능이 검증된 제품을 소개해 방문객들의 관심을 받았다. 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(1cnm)도 세계 최초로 공개했다. 이 제품은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 보인다.

세션 발표자로 나선 이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE(테크니컬 인에이블링) TL은 SK하이닉스의 6세대 HBM4 개발 방향과 비전을 언급해 청중의 이목을 끌었다. 그는 “TSMC 베이스 다이를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것”이라며 “어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적 요구를 충족할 계획”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 TSMC 3D패브릭 얼라이언스 워크샵에도 참여해 활발한 기술 교류를 펼치며 기업과의 관계도 강화하며 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.

한형용 기자 je8day@

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