SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장. 사진: SK하이닉스 뉴스룸

[대한경제=이계풍 기자] SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 건설의 첫 삽을 떴다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 회사는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 착공 작업을 공식적으로 개시했다. 원래 계획은 다음 달 착공이었으나, 용인시의 빠른 인허가 절차 진행으로 일정이 앞당겨졌다. 용인시는 21일 건축을 허가함으로써 예정보다 이른 착공이 가능해졌다. 

용인시는 작년 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 체결했으며, 건축허가 태스크포스(TF)를 운영하여 인허가 과정을 신속히 진행했다.

용인 반도체 클러스터는 경기도 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 부지에 조성되며, SK하이닉스 팹(약 60만평), 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 구성된 산업단지다.

SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 단계적으로 건설할 예정이며, 1기 팹은 2027년 5월 완공을 목표로 하고 있다. 이곳은 고대역폭 메모리(HBM)를 포함한 차세대 D램 메모리 생산 기지로 활용되며, 향후 증가하는 AI 메모리 반도체 수요에 대응하고 중장기 성장 기반을 마련할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 “클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업들과 함께 대한민국 반도체 생태계의 경쟁력을 강화하는 역할도 수행할 것”이라고 말했다.

또한 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 지원하기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 예정이다. 미니팹은 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 협력사들에게 실제 생산 현장과 유사한 환경을 제공해 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다.

최태원 SK그룹 회장은 2023년 9월 부지 조성 중인 용인 클러스터를 방문해 “용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고 전략적으로 추진되는 프로젝트”라며 “지금까지의 방식을 넘어선 도전이 필요하다”고 강조한 바 있다.

SK하이닉스는 지난해 7월 이사회를 통해 용인 반도체 클러스터의 1기 팹과 업무 시설 건설에 약 9조4000억원 투자를 결정했다. 최근에는 1기 팹 착공에 맞춰 시공, 사업관리, 안전관리 등 인프라 구축 담당 경력 사원 모집에도 나섰다.

한편, SK하이닉스는 용인 팹 외에도 증가하는 HBM 수요 대응을 위해 청주에 HBM 생산기지인 M15X를 올해 말 준공 목표로 건설하는 등 생산능력을 확대하고 있다.
 
이계풍 기자 kplee@

〈ⓒ 대한경제신문(www.dnews.co.kr), 무단전재 및 수집, 재배포금지〉