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SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터에 ‘9.4조원’ 투자 계획 승인
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기사입력 2024-07-26 17:59:04   폰트크기 변경      
용인 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설 위한 투자 확정

용인 반도체 클러스터 조감도 / SK하이닉스 제공
[대한경제=김희용 기자] SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조 4000억원을 투자한다.

SK하이닉스는 26일 이사회 결의를 거쳐 이러한 내용을 결정했다고 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 “2027년 5월에 준공할 계획이며, 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 설명했다.

경기도 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다.

SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축할 방침이다.

첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 계획이다.

이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 다음달부터 2028년말까지로 산정했다.

회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

아울러 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소재ㆍ부품ㆍ장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설을 뜻한다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다.

SK하이닉스 김영식 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것”이라며 “대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다”고 말했다.

김희용 기자 hyong@

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