SK하이닉스 CI. /이미지: SK하이닉스 제공

[대한경제=이계풍 기자] SK하이닉스는 올해 2분기 연결 기준 매출 22조2320억원, 영업이익 9조2129억원을 기록했다고 24일 밝혔다. 전년 동기 대비 매출은 35.4%, 영업이익은 68.5% 증가한 수치다.

회사 측은 인공지능(AI) 투자 확대에 따른 고대역폭메모리(HBM) 수요 급증과 낸드 제품 판매 증가가 실적 개선을 이끌었다고 설명했다. 특히 HBM3E 등 고부가 제품의 판매가 본격화되면서 영업이익률은 41%를 기록해 전분기에 이어 40%대를 유지했다. 다음은 2분기 실적 발표 컨퍼런스콜 주요 질의응답.

△레거시 D램 공급 부족에 어떻게 대응하고 있으며, 중국 우시 공장은 어떻게 활용할 계획인지.

고대역폭메모리(HBM) 양산 확대가 일반 D램 생산 케파를 제약하고, 더블데이터레이트(DDR)5나 저전력 D램(LPDDR5)로의 전환 과정에서 레거시 제품 공급 부족 현상이 나타나고 있다. 지난 분기에는 재고로 대응했지만, 레거시 D램 수요는 일정 기간 지속될 것으로 보여 중국 우시 공장을 활용할 계획이다. 우시는 SK하이닉스의 핵심 생산기지이자 글로벌 메모리 수급에도 중요한 거점인 만큼, 미국 규제 상황을 면밀히 살피고 각국 정부와 긴밀히 소통해 나갈 것이다.

△2분기 낸드 출하가 가이던스를 크게 상회했는데, 어떤 고객이나 응용 분야 중심으로 수요가 늘었는지.

AI 투자 확대에 따라 하이퍼스케일러의 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요가 증가했고, 관세 문제로 단품 낸드 수요도 늘었다. 여기에 중화권 모바일 수요 회복과 판촉 효과가 더해지며 출하량이 예상보다 크게 증가했다. 이로 인해 재고도 정상 수준으로 낮아졌고, 앞으로도 수요에 맞춰 재고와 생산을 운영할 예정이다.

△HBM4(6세대 HBM)는 원가 상승이 불가피한데, 수익성은 어떻게 유지할 계획인지.

HBM4는 입출력(IO) 증가, 저전력 설계, 베이스 다이에 로직 공정 적용 등 기술 변화로 원가가 상승했다. 이를 가격 정책에 최대한 반영해 고객과 최적의 가격을 형성하고, 현재 수익성을 유지하는 방향으로 대응하고 있다.

△DDR4 수급이 타이트한 상황인데, 수요 전망과 SK하이닉스의 대응 계획은.

일부 업체의 생산 종료로 단기 공급 부족 우려가 부각되며 가격이 급등했지만, 이는 일시적 수요 집중 현상으로 본다. DDR5 및 HBM 중심으로 전환이 빠르게 진행되고 있어 DDR4 매출 비중은 작년 두 자릿수에서 올해 한 자릿수 수준으로 감소했다. 대량 시장용 DDR4는 생산 종료 예정이며, 장기 고객 대상으로는 제한적 공급을 지속할 계획이다.

△올해 투자 규모가 늘어날 것이라고 했는데, 증액 규모와 투자 방향은.

올해 투자는 고객과 협의한 물량 대응 중심으로 진행 중이다. M15X, 용인 팹 등 장기 인프라 확보를 위한 투자도 병행하고 있다. 특히 내년 HBM 수요에 대한 가시성이 확보돼 선제적인 장비 투자 필요성이 커졌고, 이에 따라 기존 계획 대비 투자 규모가 증가할 전망이다. 다만 최종 규모는 고객 협의 완료 후 확정될 예정이다.

△M15X 등 신규 팹의 캐파 확장과 MC(고용량 제품)의 나노(공정 미세화) 전환 시점은.

HBM 제품 특성상 클린룸 면적 수요가 커져 일반 D램에서 HBM으로의 전환이 빠르게 진행됐다. M15X는 올해 4분기 오픈 예정이며 내년부터 본격 양산에 들어간다. 고객 수요가 확정돼 있어 차세대 HBM 중심으로 캐파를 점진적으로 늘릴 계획이다. MC 나노 전환은 올해 하반기 시작해 내년 본격화된다.

△낸드 시장의 수익성 개선 시점은.

현재는 소비자용 세트 수요 정체와 AI 전환기 속 저장장치 투자 지연으로 성장이 둔화돼 있다. 그러나 가까운 미래에는 AI 활용 증가로 생성되는 토큰 및 데이터를 저장할 고성능 SSD 수요가 증가할 것으로 본다. 특히 AI 추론 데이터를 캐싱하는 용도로 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 활용이 본격화되면, 낸드는 단순 저장을 넘어 연산 캐시로서의 역할을 하게 될 것이다. 이때 본격적인 수요 성장이 시작될 것으로 전망된다.

△4F스퀘어 및 3D D램 등 차세대 D램 공정 도입 시기와 HBM과의 연계성은.

기존 D램 공정이 용량ㆍ성능 개선 측면에서 한계에 다다르면서, 하이닉스는 버티컬 게이트 플랫폼과 3D D램 기술을 차세대 전략으로 검토 중이다. 이는 셀 면적을 줄이고 집적도를 높이는 방식으로, 기술 안정성 확보에 집중하고 있다. 기존 나노 공정도 병행 개발해 기술 리더십을 유지할 계획이며, 이는 차세대 HBM 경쟁력 확보에도 기여할 수 있을 것으로 보고 있다.

△중국향 그래픽처리장치(GPU) 수출 재개와 관련해 SK하이닉스의 수혜 가능성은.

고객의 중국 수출용 GPU 제품 공급이 재개된 지 오래되지 않았으며, 수요량은 현재 파악 중이다. 과거 해당 제품에 HBM을 공급한 이력이 있어 수요와 내부 공급 여건이 맞는다면 신속한 대응이 가능할 것으로 보고 있다.

△HBM 시장 경쟁 심화에 대한 SK하이닉스의 전략은.

HBM은 AI 컴퓨팅 시스템 성능과 원가 구조에 결정적 영향을 미치는 제품으로, 수요가 매우 지속성이 강한(sticky) 구조로 바뀌고 있다. 고객과의 조기 협업이 중요해졌고, 기술력뿐 아니라 고객 페인포인트 해결에 집중하는 조직문화와 팀워크가 경쟁력이다. 하이닉스는 커스터마이즈 HBM과 새로운 AI형 메모리 제품을 통해 향후에도 리더십을 강화해 나갈 방침이다.

이계풍 기자 kplee@

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