HBM4 이미지. /사진: SK하이닉스 제공

[대한경제=이계풍 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리인 HBM4의 개발을 완료하고, 본격 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.

HBM4는 기존 HBM3E 대비 대역폭을 2배, 전력 효율을 40% 개선한 제품으로, 연산 병목 현상을 완화하고 데이터센터 전력 비용 절감 효과가 뛰어나다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직 적층해 기존 제품보다 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 메모리다. SK하이닉스는 6세대인 HBM4에서 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 초당 10Gbps 이상의 속도를 구현하며 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 크게 뛰어넘었다. 회사는 이를 통해 고객 시스템의 AI 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있다고 설명했다.

또한 검증된 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 공정 안정성과 양산성을 확보했다. MR-MUF는 칩 적층 과정에서 압력을 줄이고 열 방출을 개선해 생산 리스크를 최소화하는 SK하이닉스 고유의 기술이다.

조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 “고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것”이라고 말했다.

김주선 AI 인프라 사장은 “HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다”고 강조했다.

이계풍 기자 kplee@

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