12일 서울 조선팰리스 강남에서 어플라이드머티어리얼즈 기자 간담회가 열린 가운데 박광선 어플라이드코리아 대표가 인사말을 하고 있다. /사진: 이계풍 기자

[대한경제=이계풍 기자] 미국 반도체 장비 기업 어플라이드머티어리얼즈가 2나노(㎚) 이하 선단 로직 공정에서 인공지능(AI) 칩 성능과 에너지 효율을 동시에 높이기 위한 차세대 공정 장비를 12일 공개했다.

어플라이드가 이날 공개한 신제품은 △프로듀서 비바 △심3Z 매그넘 △스펙트럴(Spectral) 등 3종이다.

‘프로듀서 비바’ 라디칼 처리 시스템은 GAA 트랜지스터의 핵심 구조인 나노시트 표면을 옹스트롬(Å) 수준으로 균일하게 다듬는 장비다. 고에너지 이온을 걸러내고 중성 라디칼만을 전달해 표면 손상을 최소화함으로써 전자 이동도를 높이고 스위칭 속도와 전력 효율을 개선하는 것이 특징이다. 로직뿐 아니라 메모리 공정에도 확장 적용이 가능하다.

식각 분야에서는 ‘심3Z 매그넘’ 시스템이 소개됐다. 마이크로초 단위 이온 제어가 가능한 펄스 전압 기술을 적용해 깊고 좁은 3차원 트렌치를 정밀하게 형성한다. 이온 각도와 에너지를 독립적으로 조절할 수 있어 고종횡비 구조에서도 균일한 측벽과 평탄한 바닥면을 구현할 수 있으며, 로직뿐 아니라 D램과 고대역폭메모리(HBM) 공정에도 활용 가능하다.

증착 영역에서는 ‘센트리스 스펙트럴’ 몰리브덴 ALD(원자층증착) 시스템이 공개됐다. 미세 공정이 심화될수록 트랜지스터와 배선을 연결하는 금속 콘택트 저항이 성능 저하 요인으로 작용하는데, 몰리브덴을 선택적으로 증착해 기존 텅스텐 대비 최대 15%까지 저항을 낮출 수 있다는 설명이다. 이를 통해 칩 전력 효율과 연산 속도를 동시에 개선할 수 있다는 점을 내세웠다.

어플라이드는 주요 글로벌 로직 반도체 제조사들이 해당 장비를 이미 채택했거나 도입을 검토 중이라고 밝혔다. 회사는 이번 기술 발표를 통해 AI 데이터센터 확산으로 급증하는 전력 수요에 대응하고, 차세대 반도체 공정 로드맵을 가속화하겠다는 전략이다.

어플라이드는 주요 글로벌 로직 반도체 제조사들이 해당 장비를 이미 채택했거나 도입을 검토 중이라고 밝혔다. 회사는 이번 기술 발표를 통해 AI 데이터센터 확산으로 급증하는 전력 수요에 대응하고, 차세대 반도체 공정 로드맵을 가속화하겠다는 전략이다.

박광선 어플라이드코리아 대표는 “올해 하반기 미국 실리콘밸리에 ‘에픽(Epic) 센터’를 개소해 아이디어 단계부터 상용화까지 기술 개발 속도를 높이고 새로운 협력 모델을 선보일 계획”이라며 “한국에서도 협업 거점인 ‘코리아 컬래버레이션 센터’를 준비 중이며 내년 하반기 공식 오픈을 목표로 기반 공사를 진행하고 있다”고 밝혔다.

이계풍 기자 kplee@

〈ⓒ 대한경제신문(www.dnews.co.kr), 무단전재 및 수집, 재배포금지〉