SK하이닉스 고대역폭메모리(HBM)4의 16단 내부 구조를 보여주는 모형 전시물 /사진:연합

24일 이사회서 11.9조 규모 EUV 장비 취득 결정
ASML서 11조9496억원 규모 노광장비 도입 결정… 자산 총액의 약 10% 투입
10나노급 6세대(1c) 공정 전환 가속화… 청주 M15X·용인 클러스터 조기 가동

[대한경제=심화영 기자] SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 시장의 핵심 병기인 고대역폭메모리(HBM) 주도권을 수성하기 위해 사상 최대 규모의 장비 투자를 단행한다. 차세대 HBM 제품군은 물론 범용 D램 시장까지 아우르는 ‘기술 초격차’ 전략을 통해 글로벌 메모리 패권을 완전히 틀어쥐겠다는 포석이다.

SK하이닉스는 24일 공시를 통해 네덜란드 ASML로부터 11조9496억원 규모의 극자외선(EUV) 노광장비를 도입하기로 결정했다고 밝혔다. 이번 투자액은 SK하이닉스 연결 기준 자산 총액의 9.97%에 달하는 거액이다. 장비 도입과 설치, 개조 비용을 모두 포함한 금액으로, 계약 기간은 2027년 12월까지 약 2년에 걸쳐 진행된다.

반도체 업계에서는 이번 투자를 단순한 설비 확충을 넘어 ‘7세대 HBM(HBM4)’ 시장을 선점하기 위한 전략적 선택으로 보고 있다. EUV 노광 기술은 웨이퍼에 미세한 회로를 그리는 핵심 공정으로, 초미세 공정으로 갈수록 생산 및 전력 효율을 극대화할 수 있어 차세대 AI 메모리 생산의 필수 조건으로 꼽힌다.

이번 장비 도입은 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 10나노급 6세대(1c) 공정 전환의 핵심 동력이 될 전망이다. 1c 공정은 기존 공정 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율을 대폭 개선한 기술이다. 향후 차세대 HBM 제품군은 물론 DDR5, LPDDR6 등 모바일과 서버용 범용 D램 시장의 주력 제품에 전격 적용될 예정이다.

특히 최근 엔비디아의 ‘GTC 2026’에서 16단 HBM4의 내부 구조를 공개하며 기술력을 과시한 SK하이닉스는 대규모 투자를 통해 양산 능력까지 완벽히 뒷받침한다는 계획이다. AI 메모리뿐만 아니라 고성능 범용 메모리 공급 안정화까지 꾀해 전방위적인 시장 리더십을 공고히 하겠다는 전략이다.

SK하이닉스는 장비 도입에 맞춰 생산 인프라 가동 시점도 대폭 앞당기고 있다. 현재 충북 청주 M15X 공장의 2단계 클린룸 가동을 기존 계획보다 2개월 앞당기기로 했으며, 내년 2월에는 경기 용인 반도체 클러스터 1기 팹(Fab)의 생산 기반도 신속히 확충할 예정이다.

심화영 기자 dorothy@

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