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| 인텔 Fab 25에 위치한 ASML의 EXE 5000 하이 NA EUV 장비. /사진:인텔코리아 |
9일 양사는 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열린 ‘SPIE 포토마스크 테크놀로지ㆍ차세대 극자외선 공정’ 컨퍼런스에서 하이 NA EUV 기술을 활용해 현재까지 누적 100만장 이상의 웨이퍼 공정을 성공적으로 처리했다고 밝혔다.
이번 성과는 단순한 연구개발(R&D)이나 장비 인증 수준을 넘어 실제 대량 양산 공정에 하이 NA EUV가 성공적으로 안착했음을 보여준다. 차세대 인텔 코어 울트라 시리즈 3 프로세서(코드명 팬서 레이크)의 일부 레이어 양산에도 본 기술이 이미 적용됐다. 인텔 파운드리에 따르면 오버레이(중첩 정밀도), 스루풋(처리량), 장비 가동률 등 핵심 생산 지표 모두 기대치를 만족하고 있다.
특히 인텔 18A 공정의 일부 레이어에 하이 NA EUV를 적용해 제조된 제품은 기존 0.33 NA 사양(NXE 플랫폼)의 EUV로 패턴을 형성한 동일 레이어와 비교해 상회하거나 대등한 수준의 성능을 꾸준히 기록하며 기술적 유효성을 입증했다.
양사는 하이 NA EUV 도입 시 고객사가 겪을 수 있는 마스크 규격 변경 부담을 크게 줄였다. 고객은 6인치 마스크 내 층별 배치(Floor-planning)를 계획하거나, 인텔 파운드리의 스티칭(Stitching) 기술 및 공정 설계 키트(PDK) 솔루션을 활용해 기존 업계 마스크 규격을 그대로 유지하면서도 하이 NA EUV의 이점을 즉각 누릴 수 있다.
인텔 파운드리는 지난 3년간 ASML, 마스크 제조사, EDA(전자설계자동화) 파트너, 소재 및 자동화 공급업체 등과 긴밀히 협력하며 ‘대형 마스크 포맷 이니셔티브’를 주도해 왔다. 단기적으로는 기존 6인치 마스크 상에서 스티칭 기술을 지원하는 동시에, 향후 차세대 표준인 6x12인치 마스크 포맷으로 전환하기 위한 생태계 및 인프라 구축을 병행할 방침이다.
크리스토프 푸케 ASML 사장 겸 CEO는 “인텔 파운드리는 2024년 최초의 상용 EXE 시스템 도입부터 최신 세대 장비 인증, 하이 NA 기반 첫 양산형 로직 제품 출하에 이르기까지 산업 전반의 하이 NA 도입을 이끈 핵심 리더”라며, “6인치 마스크를 통한 현재의 가치 창출과 6x12인치 마스크로의 진화를 지속 지원할 것”이라고 평가했다.
나가 찬드라세카란 인텔 수석 부사장 겸 인텔 파운드리 공동 총괄은 “복잡해지는 AI 제품을 개발하는 기업에는 양산에 즉시 적용 가능한 제조 혁신이 필수적”이라며 “인텔 파운드리는 단기적인 6인치 마스크 지원과 장기적인 6x12인치 마스크 전환에 집중하고 있고, ASML 및 반도체 생태계 전체와 함께 가시적인 성과를 만들어가겠다”고 강조했다.
심화영 기자 dorothy@
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